台积电2nm制程重大突破,最快可于2023年实现量产

在过去的几年中,台积电在芯片行业愈创愈勇。 根据最新消息,它在2nm制程上取得了重大的内部突破。更有称可以在2023年进入大规模生产阶段,并在其后继续开发1nm工艺。
台积电2nm制程重大突破,最快可于2023年实现量产

据报道,台积电在2nm工艺上取得了重大的内部突破, 其放弃了延续多年的FinFET,甚至不使用GAAFET(即纳米线 nanowire),而是将其扩展为MBCFET纳米片(nanosheet),改善电路控制并降低漏电率。 台积电尚未宣布2nm制程开发所需的研发成本,但根据三星在5nm制程开发期间公布的4.8亿美元,实际上应该超过这个数字。

根据市场估计,其2nm工艺有望在2023年下半年进行风险性试产,并于2024年进入批量生产阶段。对此,台积电表示,2nm的突破将再次扩大与竞争对手的差距,并且此后将继续开发1nm工艺。 台积电预计,苹果,高通,英伟达,AMD等将有望率先采用其2nm工艺。

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