台积电2nm制程重大突破，最快可于2023年实现量产

在过去的几年中，台积电在芯片行业愈创愈勇。 根据最新消息，它在2nm制程上取得了重大的内部突破。更有称可以在2023年进入大规模生产阶段，并在其后继续开发1nm工艺。

据报道，台积电在2nm工艺上取得了重大的内部突破， 其放弃了延续多年的FinFET，甚至不使用GAAFET（即纳米线 nanowire），而是将其扩展为MBCFET纳米片（nanosheet），改善电路控制并降低漏电率。 台积电尚未宣布2nm制程开发所需的研发成本，但根据三星在5nm制程开发期间公布的4.8亿美元，实际上应该超过这个数字。

根据市场估计，其2nm工艺有望在2023年下半年进行风险性试产，并于2024年进入批量生产阶段。对此，台积电表示，2nm的突破将再次扩大与竞争对手的差距，并且此后将继续开发1nm工艺。 台积电预计，苹果，高通，英伟达，AMD等将有望率先采用其2nm工艺。